AUIRFN8459TR MOSFET 40V HEXFET a doppio canale N

Breve descrizione:

Produttori: Tecnologie Infineon

Categoria di prodotto: Transistor – FET, MOSFET – Array

Scheda dati:AUIRFN8459TR

Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

Stato RoHS: conforme a RoHS


Dettagli del prodotto

Caratteristiche

Applicazioni

Tag del prodotto

♠ Descrizione del prodotto

Attributo del prodotto Valore dell'attributo
Produttore: Infineon
Categoria di prodotto: MOSFET
RoHS: Dettagli
Tecnologia: Si
Stile di montaggio: SMD/SMT
Confezione/caso: PQFN-8
Polarità del transistor: Canale N
Numero di canali: 2 canali
Vds - Tensione di rottura drain-source: 40 V
Id - Corrente di scarico continua: 70 A
Rds On - Resistenza Drain-Source: 5,9 mOhm
Vgs - Tensione gate-source: -20V, +20V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 3 V
Qg - Carica di cancello: 40 nC
Temperatura operativa minima: - 55 C
Temperatura operativa massima: + 175 C
Pd - Dissipazione di potenza: 50 W
Modalità canale: Aumento
Qualificazione: AEC-Q101
Confezione: Bobina
Confezione: Tagliare il nastro
Confezione: Bobina di topo
Marca: Tecnologie Infineon
Configurazione: Doppio
Tempo di caduta: 42 n
Transconduttanza diretta - Min: 66 S
Altezza: 1,2 mm
Lunghezza: 6mm
Tipologia di prodotto: MOSFET
Ora di alzarsi: 55 n
Quantità confezione di fabbrica: 4000
Sottocategoria: MOSFET
Tipo di transistor: 2 canali N
Ritardo di spegnimento tipico: 25 n
Tipico tempo di ritardo all'accensione: 10 n
Larghezza: 5mm
Parte # Alias: AUIRFN8459TR SP001517406
Unità di peso: 0,004308 once

♠ MOSFET HEXFET a doppio canale N da 40 V

Specificamente progettato per applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza on per area di silicio estremamente bassa.Ulteriori caratteristiche di questo design sono una temperatura operativa di giunzione di 175°C, una rapida velocità di commutazione e una migliore valutazione delle valanghe ripetitive.Queste caratteristiche si combinano per rendere questo prodotto un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.


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  •  Tecnologia di processo avanzata

     Doppio MOSFET a canale N

     Bassissima resistenza On

     Temperatura di esercizio 175°C

     Cambio rapido

     Valanga ripetitiva Consentita fino a Tjmax

     Senza piombo, conforme a RoHS

     Qualificato nel settore automobilistico *

     Sistemi automobilistici a 12V

     Motore a corrente continua con spazzole

     Frenata

     Trasmissione

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