DMN2400UV-7 MOSFET MOSFET, N-CANALE

Breve descrizione:

Produttori: Diodi incorporati
Categoria di prodotto: Transistor – FET, MOSFET – Array
Scheda dati:DMN2400UV-7
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Stato RoHS: conforme a RoHS


Dettagli del prodotto

Caratteristiche

Tag del prodotto

♠ Descrizione del prodotto

Attributo del prodotto Valore dell'attributo
Produttore: Diodi incorporati
Categoria di prodotto: MOSFET
Tecnologia: Si
Stile di montaggio: SMD/SMT
Confezione/caso: SOT-563-6
Polarità del transistor: Canale N
Numero di canali: 2 canali
Vds - Tensione di rottura drain-source: 20 V
Id - Corrente di scarico continua: 1,33 A
Rds On - Resistenza Drain-Source: 480 mOhm
Vgs - Tensione gate-source: -12V, +12V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 500 mV
Qg - Carica di cancello: 500 pz
Temperatura operativa minima: - 55 C
Temperatura operativa massima: + 150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 530 mW
Modalità canale: Aumento
Confezione: Bobina
Confezione: Tagliare il nastro
Confezione: Bobina di topo
Marca: Diodi incorporati
Configurazione: Doppio
Tempo di caduta: 10.54 n
Prodotto: MOSFET Piccolo segnale
Tipologia di prodotto: MOSFET
Ora di alzarsi: 7,28 n
Serie: DMN2400
Quantità confezione di fabbrica: 3000
Sottocategoria: MOSFET
Tipo di transistor: 2 canali N
Ritardo di spegnimento tipico: 13,74 n
Tipico tempo di ritardo all'accensione: 4.06 n
Unità di peso: 0,000212 once

 


  • Precedente:
  • Prossimo:

  • · Canale complementare P + N
    · Modalità di miglioramento
    · Livello Super Logic (2,5 V nominali)
    · Scarico comune
    · Classificazione valanghe
    · Temperatura di esercizio 175 °C
    · Qualificato secondo AEC Q101
    · 100% senza piombo;A norma RoHS
    · Privo di alogeni secondo IEC61246-21

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