IDW30G120C5BFKSA1 Diodi Schottky e raddrizzatori SIC CHIP/DISCRETI
♠ Descrizione del prodotto
| Attributo del prodotto | Valore dell'attributo |
| Produttore: | Infineon |
| Categoria di prodotto: | Diodi Schottky e raddrizzatori |
| Direttiva RoHS: | Dettagli |
| Prodotto: | Diodi Schottky al carburo di silicio |
| Stile di montaggio: | Foro passante |
| Confezione/custodia: | TO-247-3 |
| Configurazione: | Doppio anodo catodo comune |
| Tecnologia: | SiC |
| Se - Corrente diretta: | 30 A |
| Vrrm - Tensione inversa ripetitiva: | 1,2 kV |
| Vf - Tensione diretta: | 1,4 V |
| Ifsm - Corrente di picco diretta: | 240 A |
| Ir - Corrente inversa: | 17 µA |
| Temperatura minima di esercizio: | - 55 gradi Celsius |
| Temperatura massima di esercizio: | + 175 °C |
| Serie: | Codice articolo: IDW30G120C5 |
| Confezione: | Tubo |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Pd - Dissipazione di potenza: | 332 O |
| Tipo di prodotto: | Diodi Schottky e raddrizzatori |
| Quantità confezione di fabbrica: | 240 |
| Sottocategoria: | Diodi e raddrizzatori |
| Nome commerciale: | CoolSiC |
| Vr - Tensione inversa: | 1,2 kV |
| Alias del numero di parte: | IDW30G120C5B SP001123716 |
| Peso unitario: | 1,340411 once |
·Materiale semiconduttore rivoluzionario: il carburo di silicio
·Nessuna corrente di recupero inversa / Nessun recupero in avanti
·Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
·Bassa tensione diretta anche ad alta temperatura di esercizio
·Distribuzione della tensione diretta stretta
·Eccellenti prestazioni termiche
·Capacità di corrente di sovratensione estesa
·Robustezza dv/dt specificata
·Qualificato secondo JEDEC1) per applicazioni target
·Rivestimento in piombo senza piombo; conforme alla direttiva RoHS
·Inverter solari
·Gruppi di continuità
·Azionamenti motore
·Correzione del fattore di potenza
