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MOSFET IRFR6215TRPBF 1 canale P -150 V HEXFET 580 mOhm 44 nC

Immagine in evidenza IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhm 44nC
  • MOSFET IRFR6215TRPBF 1 canale P -150 V HEXFET 580 mOhm 44 nC
  • MOSFET IRFR6215TRPBF 1 canale P -150 V HEXFET 580 mOhm 44 nC

Breve descrizione:

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistor – FET, MOSFET – Singoli
Scheda dati:IRFR6215TRPBF
Descrizione: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Stato RoHS: conforme alla direttiva RoHS


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Dettagli del prodotto

Caratteristiche

Tag dei prodotti

♠ Descrizione del prodotto

Attributo del prodotto Valore dell'attributo
Produttore: Infineon
Categoria di prodotto: MOSFET
Tecnologia: Si
Stile di montaggio: SMD/SMT
Confezione/custodia: TO-252-3
Polarità del transistor: Canale P
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 150 Volt
Id - Corrente di scarico continua: 13 A
Rds On - Resistenza drain-source: 580 mOhm
Vgs - Tensione gate-source: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 4 Volt
Qg - Carica al cancello: 66 nC
Temperatura minima di esercizio: - 55 gradi Celsius
Temperatura massima di esercizio: + 175 °C
Pd - Dissipazione di potenza: 110 W
Modalità canale: Miglioramento
Confezione: Bobina
Confezione: Tagliare il nastro
Confezione: MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configurazione: Separare
Tempo di autunno: 37 secondi
Transconduttanza diretta - Min: 3,6 secondi
Altezza: 2,3 millimetri
Lunghezza: 6,5 millimetri
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 36 secondi
Quantità confezione di fabbrica: 2000
Sottocategoria: MOSFET
Tipo di transistor: 1 Canale P
Tipo: Preliminare
Tempo di ritardo di spegnimento tipico: 53 secondi
Tempo di ritardo di accensione tipico: 14 secondi
Larghezza: 6,22 millimetri
Alias ​​del numero di parte: IRFR6215TRPBF SP001571562
Peso unitario: 0,011640 once

 

♠ MOSFET di potenza HEXFET® IRFR6215PbF IRFU6215PbF

Gli HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano tecnologie avanzatetecniche di elaborazione per ottenere la più bassa resistenza possibile perarea del silicio. Questo vantaggio, combinato con la rapida velocità di commutazionee design del dispositivo rinforzato che i MOSFET di potenza HEXFET sonoben noto per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficienteper l'impiego in un'ampia gamma di applicazioni.

Il D-PAK è progettato per il montaggio superficiale mediante fase di vapore,tecniche di saldatura a infrarossi o a onda. La versione a filo dritto(serie IRFU) è per applicazioni di montaggio a foro passante. Potenzalivelli di dissipazione fino a 1,5 watt sono possibili in superficie tipicaapplicazioni di montaggio.


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  •  Canale P

     Temperatura di esercizio 175°C

     Montaggio superficiale (IRFR6215)

     Cavo dritto (IRFU6215)

     Tecnologia di processo avanzata

     Commutazione rapida

     Completamente classificato come valanghe

     Senza piombo

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