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Transistor bipolari MUN5113DW1T1G – Pre-polarizzati SS BR XSTR PNP 50V

Transistor bipolari MUN5113DW1T1G – Pre-polarizzati SS BR XSTR PNP 50V Immagine in evidenza
  • Transistor bipolari MUN5113DW1T1G – Pre-polarizzati SS BR XSTR PNP 50V

Breve descrizione:

Produttori: onsemi

Categoria di prodotto: Transistor – Bipolari (BJT) – Array, Pre-polarizzati

Scheda dati: MUN5113DW1T1G

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0,25W SOT363

Stato RoHS: conforme alla direttiva RoHS


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Dettagli del prodotto

Caratteristiche

Tag dei prodotti

♠ Descrizione del prodotto

Attributo del prodotto Valore dell'attributo
Produttore: onsemi
Categoria di prodotto: Transistor bipolari - Pre-polarizzati
Direttiva RoHS: Dettagli
Configurazione: Doppio
Polarità del transistor: PNP
Resistenza di ingresso tipica: 47 kOhm
Rapporto di resistenza tipico: 1
Stile di montaggio: SMD/SMT
Confezione/custodia: SOT-363 (senza PB)-6
Guadagno base/collettore DC hfe Min: 80
Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 50 Volt
Corrente continua del collettore: - 100 mA
Corrente di picco del collettore CC: 100 mA
Pd - Dissipazione di potenza: 256 mW
Temperatura minima di esercizio: - 55 gradi Celsius
Temperatura massima di esercizio: + 150 °C
Serie: MUN5113DW1
Confezione: Bobina
Confezione: Tagliare il nastro
Confezione: MouseReel
Marca: onsemi
Guadagno di corrente CC hFE Max: 80
Altezza: 0,9 millimetri
Lunghezza: 2 millimetri
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari - Pre-polarizzati
Quantità confezione di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistor
Larghezza: 1,25 millimetri
Peso unitario: 0,000212 once

♠ Transistor con doppia resistenza di polarizzazione PNP R1 = 47 k, R2 = 47 k Transistor PNP con rete di resistenza di polarizzazione monolitica

Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione a resistori esterni. Il transistor a resistore di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistori: un resistore di base in serie e un resistore base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un singolo dispositivo. L'utilizzo di un BRT può ridurre sia i costi di sistema che lo spazio sulla scheda.


  • Precedente: MOSFET SUD50P10-43L-E3 100 V 37 A 136 W 43 mohm 10 V
  • Prossimo: Preamplificatori per microfono SSM2166SZ-REEL PREAMPLIFICATORE PER MICROFONO CON COMPRESSIONE VAR

  • • Semplifica la progettazione dei circuiti

    • Riduce lo spazio sulla scheda

    • Riduce il numero di componenti

    • Prefisso S e NSV per applicazioni automobilistiche e di altro tipo che richiedono requisiti unici di modifica del sito e del controllo; qualificato AEC-Q101 e abilitato PPAP*

    • Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni/BFR e conformi alla direttiva RoHS

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