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NTK3043NT1G MOSFET NFET 20V 285mA TR

NTK3043NT1G MOSFET NFET 20V 285mA TR Immagine in evidenza
  • NTK3043NT1G MOSFET NFET 20V 285mA TR

Breve descrizione:

Produttori: ON Semiconductor

Categoria di prodotto: Transistor – FET, MOSFET – Singoli

Scheda dati:NTK3043NT1G

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723

Stato RoHS: conforme alla direttiva RoHS


Inviaci un'email

Dettagli del prodotto

Caratteristiche

Applicazioni

Tag dei prodotti

♠ Descrizione del prodotto

Attributo del prodotto Valore dell'attributo
Produttore: onsemi
Categoria di prodotto: MOSFET
Direttiva RoHS: Dettagli
Tecnologia: Si
Stile di montaggio: SMD/SMT
Confezione/custodia: SOT-723-3
Polarità del transistor: Canale N
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 20 Volt
Id - Corrente di scarico continua: 255 mA
Rds On - Resistenza drain-source: 3,4 Ohm
Vgs - Tensione gate-source: - 10 V, + 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 400 mV
Qg - Carica al cancello: -
Temperatura minima di esercizio: - 55 gradi Celsius
Temperatura massima di esercizio: + 150 °C
Pd - Dissipazione di potenza: 440 mW
Modalità canale: Miglioramento
Confezione: Bobina
Confezione: Tagliare il nastro
Confezione: MouseReel
Marca: onsemi
Configurazione: Separare
Tempo di autunno: 15 secondi
Transconduttanza diretta - Min: 0,275 S
Altezza: 0,5 millimetri
Lunghezza: 1,2 millimetri
Prodotto: MOSFET a piccolo segnale
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 15 secondi
Serie: Codice articolo: NTK3043N
Quantità confezione di fabbrica: 4000
Sottocategoria: MOSFET
Tipo di transistor: 1 canale N
Tipo: MOSFET
Tempo di ritardo di spegnimento tipico: 94 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 13 secondi
Larghezza: 0,8 millimetri
Peso unitario: 0,000045 once

  • Precedente: NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
  • Prossimo: Microcontrollori ARM STM32F411RCT6 MCU STM32 Dyn Eff MCU 512K 100MHz CPU

  • • Consente la produzione di PCB ad alta densità

    • Ingombro ridotto del 44% rispetto a SC−89 e più sottile del 38% rispetto a SC−89

    • L'azionamento a bassa tensione rende questo dispositivo ideale per apparecchiature portatili

    • Livelli di soglia bassi, VGS(TH) < 1,3 V

    • Il profilo basso (< 0,5 mm) consente di adattarlo facilmente ad ambienti estremamente sottili come quelli dei dispositivi elettronici portatili

    • Operato a livello di logica standard Gate Drive, facilitando la futura migrazione a livelli inferiori utilizzando la stessa topologia di base

    • Questi sono dispositivi senza piombo e senza alogeni

    • Interfacciamento, commutazione

    • Commutazione ad alta velocità

    • Telefoni cellulari, PDA

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