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MOSFET STD4NK100Z MOSFET di potenza SuperMESH a canale N di grado automobilistico da 1000 V, 5,6 Ohm tip. 2,2 A

MOSFET STD4NK100Z MOSFET di potenza SuperMESH a canale N da 1000 V, 5,6 Ohm tip. 2,2 A di livello automobilistico Immagine in evidenza
  • MOSFET STD4NK100Z MOSFET di potenza SuperMESH a canale N di grado automobilistico da 1000 V, 5,6 Ohm tip. 2,2 A

Breve descrizione:

Produttori: STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
Scheda dati:STD4NK100Z
Descrizione: MOSFET di potenza
Stato RoHS: conforme alla direttiva RoHS


Inviaci un'email

Dettagli del prodotto

Caratteristiche

Applicazioni

Tag dei prodotti

♠ Descrizione del prodotto

Attributo del prodotto Valore dell'attributo
Produttore: STMicroelectronics
Categoria di prodotto: MOSFET
Direttiva RoHS: Dettagli
Tecnologia: Si
Stile di montaggio: SMD/SMT
Confezione/custodia: TO-252-3
Polarità del transistor: Canale N
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 1 kV
Id - Corrente di scarico continua: 2.2 A
Rds On - Resistenza drain-source: 6,8 Ohm
Vgs - Tensione gate-source: - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 4,5 V
Qg - Carica al cancello: 18 nC
Temperatura minima di esercizio: - 55 gradi Celsius
Temperatura massima di esercizio: + 150 °C
Pd - Dissipazione di potenza: 90 W
Modalità canale: Miglioramento
Qualificazione: AEC-Q101
Nome commerciale: SuperMESH
Serie: STD4NK100Z
Confezione: Bobina
Confezione: Tagliare il nastro
Confezione: MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configurazione: Separare
Tempo di autunno: 39 secondi
Altezza: 2,4 millimetri
Lunghezza: 10,1 millimetri
Prodotto: MOSFET di potenza
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 7,5 ns
Quantità confezione di fabbrica: 2500
Sottocategoria: MOSFET
Tipo di transistor: 1 canale N
Tipo: SuperMESH
Tempo di ritardo di accensione tipico: 15 secondi
Larghezza: 6,6 millimetri
Peso unitario: 0,011640 once

 

♠ MOSFET di potenza SuperMESH™ a canale N di grado automobilistico da 1000 V, 5,6 Ω tip., 2,2 A con protezione Zener in un DPAK

Questo dispositivo è un MOSFET di potenza a canale N con protezione Zener, sviluppato utilizzando la tecnologia SuperMESH™ di STMicroelectronics, ottenuta ottimizzando il consolidato layout PowerMESH™ a strisce di ST. Oltre a una significativa riduzione della resistenza di on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti.


  • Precedente: Microcontrollori STM8AF6266TCY a 8 bit – MCU Automotive a 8 bit Rev X LIN 32 Kb 32 pin
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  • • Progettato per applicazioni automobilistiche e qualificato AEC-Q101

    • Capacità dv/dt estremamente elevata

    • Testato al 100% contro le valanghe

    • Costo del gate ridotto al minimo

    • Capacità intrinseca molto bassa

    • Protezione Zener

    • Cambio applicazione

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