VNS1NV04DPTR-E Gate Driver MOSFET DI POTENZA OMNIFET 40V 1,7 A
♠ Descrizione del prodotto
Attributo del prodotto | Valore dell'attributo |
Produttore: | STMicroelectronics |
Categoria di prodotto: | Driver di cancello |
Prodotto: | Driver di porta MOSFET |
Tipo: | Lato basso |
Stile di montaggio: | SMD/SMT |
Confezione/caso: | SOIC-8 |
Numero di conducenti: | 2 Autista |
Numero di uscite: | 2 Uscita |
Corrente di uscita: | 1.7 A |
Tensione di alimentazione - Max: | 24 V |
Ora di alzarsi: | 500 n |
Tempo di caduta: | 600 n |
Temperatura operativa minima: | - 40 C |
Temperatura operativa massima: | + 150 C |
Serie: | VNS1NV04DP-E |
Qualificazione: | AEC-Q100 |
Confezione: | Bobina |
Confezione: | Tagliare il nastro |
Confezione: | Bobina di topo |
Marca: | STMicroelectronics |
Sensibile all'umidità: | SÌ |
Corrente di alimentazione operativa: | 150 uA |
Tipologia di prodotto: | Driver di cancello |
Quantità confezione di fabbrica: | 2500 |
Sottocategoria: | PMIC - Circuiti integrati per la gestione dell'alimentazione |
Tecnologia: | Si |
Unità di peso: | 0,005291 once |
♠ MOSFET di potenza completamente autoprotetto OMNIFET II
Il VNS1NV04DP-E è un dispositivo formato da due chip OMNIFET II monolitici alloggiati in un package SO-8 standard.Gli OMNIFET II sono progettati con la tecnologia VIPower™ M0-3 di STMicroelectronics: sono destinati alla sostituzione dei MOSFET di potenza standard per applicazioni CC fino a 50 KHz.Lo spegnimento termico integrato, la limitazione della corrente lineare e il morsetto di sovratensione proteggono il chip in ambienti difficili.
Il feedback di errore può essere rilevato monitorando la tensione sul pin di ingresso.
• Limitazione di corrente lineare
• Arresto termico
• Protezione da cortocircuito
• Morsetto integrato
• Bassa corrente assorbita dal pin di ingresso
• Feedback diagnostico tramite pin di ingresso
• Protezione ESD
• Accesso diretto al gate del mosfet di potenza (pilotaggio analogico)
• Compatibile con mosfet di potenza standard
• Conforme alla direttiva europea 2002/95/CE