BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH LOGICA
♠ Descrizione del prodotto
| Attributo del prodotto | Valore dell'attributo |
| Produttore: | onsemi |
| Categoria di prodotto: | MOSFET |
| Tecnologia: | Si |
| Stile di montaggio: | SMD/SMT |
| Confezione/caso: | SOT-23-3 |
| Polarità del transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 1 canale |
| Vds - Tensione di rottura drain-source: | 100 V |
| Id - Corrente di scarico continua: | 170 mA |
| Rds On - Resistenza Drain-Source: | 6 Ohm |
| Vgs - Tensione gate-source: | -20V, +20V |
| Vgs th - Tensione di soglia gate-source: | 800 mV |
| Qg - Carica di cancello: | 2,5 nC |
| Temperatura operativa minima: | - 55 C |
| Temperatura operativa massima: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di potenza: | 300 mW |
| Modalità canale: | Aumento |
| Confezione: | Bobina |
| Confezione: | Tagliare il nastro |
| Confezione: | Bobina di topo |
| Marca: | Onsemi / Fairchild |
| Configurazione: | Separare |
| Tempo di caduta: | 9 n |
| Transconduttanza diretta - Min: | 0,8 S |
| Altezza: | 1,2 mm |
| Lunghezza: | 2,9 mm |
| Prodotto: | MOSFET Piccolo segnale |
| Tipologia di prodotto: | MOSFET |
| Ora di alzarsi: | 9 n |
| Serie: | BSS123 |
| Quantità confezione di fabbrica: | 3000 |
| Sottocategoria: | MOSFET |
| Tipo di transistor: | 1 canale N |
| Tipo: | FET |
| Ritardo di spegnimento tipico: | 17 n |
| Tipico tempo di ritardo all'accensione: | 1,7 n |
| Larghezza: | 1,3 mm |
| Parte # Alias: | BSS123_NL |
| Unità di peso: | 0,000282 once |
♠ Transistor ad effetto di campo in modalità di potenziamento del livello logico a canale N
Questi transistor ad effetto di campo in modalità N−Channel sono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS ad alta densità cellulare brevettata da onsemi.Questi prodotti sono stati progettati per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo e allo stesso tempo fornire prestazioni di commutazione robuste, affidabili e veloci.Questi prodotti sono particolarmente adatti per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente come il controllo di piccoli servomotori, gate driver MOSFET di potenza e altre applicazioni di commutazione.
• 0,17 A, 100 V
♦ RDS(on) = 6 @ VGS = 10 V
♦ RDS(acceso) = 10 @ VGS = 4,5 V
• Design delle celle ad alta densità per RDS estremamente basso(on)
• Robusto e affidabile
• Pacchetto a montaggio superficiale SOT−23 standard industriale compatto
• Questo dispositivo è privo di piombo e alogeni
