FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠ Descrizione del prodotto
| Attributo del prodotto | Valore d'attributo |
| Fabbricante: | onsemi |
| Categoria di prodotto: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnologia: | Si |
| Stile di montaggio: | SMD/SMT |
| Pacchetto / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polarità del transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 1 canale |
| Vds - Tensione dirompente tra drenaggio e fonte: | 20 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 1.7 A |
| Rds On - Resistenza tra drenaje e fonte: | 55 mOhm |
| Vgs - Tensione tra porta e fonte: | -8V, +8V |
| Vgs th - Tensione umbrale tra porta e fonte: | 400 mV |
| Qg - Caricamento della porta: | 5 nC |
| Temperatura di lavoro minima: | - 55 C |
| Temperatura di lavoro massima: | + 150 C |
| Dp - Dissipazione di potenza : | 500 mW |
| Modo canale: | Aumento |
| Nome commerciale: | PowerTrench |
| Empaquetado: | Bobina |
| Empaquetado: | Tagliare il nastro |
| Empaquetado: | Bobina di topo |
| Marca: | Onsemi / Fairchild |
| Configurazione: | Separare |
| Tempo di caduta: | 8,5 n |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | 7 S |
| Altura: | 1,12 mm |
| Longitudine: | 2,9 mm |
| Prodotto: | MOSFET Piccolo segnale |
| Tipo di prodotto: | MOSFET |
| Tempo di sottomissione: | 8,5 n |
| Serie: | FDN335N |
| Quantità di spazio di fabbrica: | 3000 |
| Sottocategoria: | MOSFET |
| Tipo di transistor: | 1 canale N |
| Tipo: | MOSFET |
| Tempo di ritardo nell'apagamento tipico: | 11 n |
| Tempo tipico di demora de encendido: | 5 n |
| Ancora: | 1,4 mm |
| Alias de las piezas n.º: | FDN335N_NL |
| Peso dell'unità: | 0,001058 once |
♠ MOSFET PowerTrenchTM specificato a canale N da 2,5 V
Questo MOSFET a canale N da 2,5 V è prodotto utilizzando l'avanzato processo PowerTrench di ON Semiconductor, appositamente studiato per ridurre al minimo la resistenza nello stato on e mantenere una bassa carica di gate per prestazioni di commutazione superiori.
• 1,7 A, 20 V. RDS(ON) = 0,07 Ω @ VGS = 4,5 V RDS(ON) = 0,100 Ω @ VGS = 2,5 V.
• Bassa carica di gate (tipico 3,5 nC).
• Tecnologia trench ad alte prestazioni per RDS(ON) estremamente basso.
• Elevata capacità di gestione della potenza e della corrente.
• Convertitore CC/CC
• Interruttore di carico
