IKW75N65EH5XKSA1 Transistor IGBT INDUSTRIA 14

Breve descrizione:

Produttori: Tecnologie Infineon
Categoria di prodotto: Transistor – IGBT – Singolo
Scheda dati:IKW75N65EH5XKSA1
Descrizione: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Stato RoHS: conforme a RoHS


Dettagli del prodotto

Caratteristiche

Applicazioni

Tag del prodotto

♠ Descrizione del prodotto

Attributo del prodotto Valore dell'attributo
Produttore: Infineon
Categoria di prodotto: Transistor IGBT
Tecnologia: Si
Confezione/caso: TO-247-3
Stile di montaggio: Attraverso il foro
Configurazione: Separare
Tensione Collettore-Emettitore VCEO Max: 650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1,65 V
Tensione massima dell'emettitore del gate: 20 V
Corrente continua di collettore a 25 C: 90 A
Pd - Dissipazione di potenza: 395 W
Temperatura operativa minima: - 40 C
Temperatura operativa massima: + 175 C
Serie: Trenchstop IGBT5
Confezione: Tubo
Marca: Tecnologie Infineon
Corrente di dispersione gate-emettitore: 100 nA
Altezza: 20,7 mm
Lunghezza: 15,87 mm
Tipologia di prodotto: Transistor IGBT
Quantità confezione di fabbrica: 240
Sottocategoria: IGBT
Nome depositato: TRENCHSTOP
Larghezza: 5,31 mm
Parte # Alias: IKW75N65EH5 SP001257948
Unità di peso: 0,211644 once

 


  • Precedente:
  • Prossimo:

  • Offerta di tecnologia H5 ad alta velocità
    • Migliore efficienza nelle topologie hardswitching e risonanti
    •Sostituzione plug-and-play di IGBT di generazione precedente
    •Tensione di rottura 650V
    •Bassa carica di gateQG
    •IGBTcopacked con diodo antiparallelo veloce e morbido RAPID1 a piena potenza
    •Temperatura massima di giunzione 175°C
    •Qualificato secondo JEDEC per le applicazioni target
    •Placcatura in piombo senza Pb;conforme a RoHS
    •Spettro prodotto completo e modelli PSpice: http://www.infineon.com/igbt/

    • Gruppi di continuità
    •Convertitori solari
    •Convertitori di saldatura
    •Convertitori di frequenza a commutazione di gamma medio-alta

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