NTJD4001NT1G MOSFET 30V 250mA doppio canale N
♠ Descrizione del prodotto
| Attributo del prodotto | Valore dell'attributo |
| Produttore: | onsemi |
| Categoria di prodotto: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnologia: | Si |
| Stile di montaggio: | SMD/SMT |
| Confezione/caso: | SC-88-6 |
| Polarità del transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 2 canali |
| Vds - Tensione di rottura drain-source: | 30 V |
| Id - Corrente di scarico continua: | 250 mA |
| Rds On - Resistenza Drain-Source: | 1,5 Ohm |
| Vgs - Tensione gate-source: | -20V, +20V |
| Vgs th - Tensione di soglia gate-source: | 800 mV |
| Qg - Carica di cancello: | 900 pz |
| Temperatura operativa minima: | - 55 C |
| Temperatura operativa massima: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di potenza: | 272 mW |
| Modalità canale: | Aumento |
| Confezione: | Bobina |
| Confezione: | Tagliare il nastro |
| Confezione: | Bobina di topo |
| Marca: | onsemi |
| Configurazione: | Doppio |
| Tempo di caduta: | 82 n |
| Transconduttanza diretta - Min: | 80 ms |
| Altezza: | 0,9 mm |
| Lunghezza: | 2mm |
| Prodotto: | MOSFET Piccolo segnale |
| Tipologia di prodotto: | MOSFET |
| Ora di alzarsi: | 23 n |
| Serie: | NTJD4001N |
| Quantità confezione di fabbrica: | 3000 |
| Sottocategoria: | MOSFET |
| Tipo di transistor: | 2 canali N |
| Ritardo di spegnimento tipico: | 94 n |
| Tipico tempo di ritardo all'accensione: | 17 n |
| Larghezza: | 1,25 mm |
| Unità di peso: | 0,010229 once |
• Bassa carica di gate per commutazione rapida
• Ingombro ridotto − 30% più piccolo rispetto a TSOP−6
• Cancello protetto ESD
• Qualificato AEC Q101 − NVTJD4001N
• Questi dispositivi sono privi di Pb e sono conformi a RoHS
• Interruttore di carico laterale basso
• Dispositivi alimentati da batterie agli ioni di litio − Telefoni cellulari, PDA, DSC
• Convertitori Buck
• Spostamenti di livello
