NTMFS5C628NLT1G TRINCEA MOSFET 6 60V NFET
♠ Descrizione del prodotto
| Attributo del prodotto | Valore dell'attributo |
| Produttore: | onsemi |
| Categoria di prodotto: | MOSFET |
| Tecnologia: | Si |
| Stile di montaggio: | SMD/SMT |
| Confezione/caso: | SO-8FL-4 |
| Polarità del transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 1 canale |
| Vds - Tensione di rottura drain-source: | 60 V |
| Id - Corrente di scarico continua: | 150 A |
| Rds On - Resistenza Drain-Source: | 2,4 mOhm |
| Vgs - Tensione gate-source: | -20V, +20V |
| Vgs th - Tensione di soglia gate-source: | 1,2 V |
| Qg - Carica di cancello: | 52 nC |
| Temperatura operativa minima: | - 55 C |
| Temperatura operativa massima: | + 175 C |
| Pd - Dissipazione di potenza: | 3,7 W |
| Modalità canale: | Aumento |
| Confezione: | Bobina |
| Confezione: | Tagliare il nastro |
| Confezione: | Bobina di topo |
| Marca: | onsemi |
| Configurazione: | Separare |
| Tempo di caduta: | 70 n |
| Transconduttanza diretta - Min: | 110 S |
| Tipologia di prodotto: | MOSFET |
| Ora di alzarsi: | 150 n |
| Quantità confezione di fabbrica: | 1500 |
| Sottocategoria: | MOSFET |
| Tipo di transistor: | 1 canale N |
| Ritardo di spegnimento tipico: | 28 n |
| Tipico tempo di ritardo all'accensione: | 15 n |
| Unità di peso: | 0,006173 once |
• Ingombro ridotto (5×6 mm) per un design compatto
• Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
• Basso QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver
• Questi dispositivi sono privi di Pb e sono conformi a RoHS
