Driver di gate VNS3NV04DPTR-E OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Descrizione del prodotto
Attributo del prodotto | Valore dell'attributo |
Produttore: | STMicroelectronics |
Categoria di prodotto: | Autisti di gate |
Direttiva RoHS: | Dettagli |
Prodotto: | Driver di gate MOSFET |
Tipo: | Lato basso |
Stile di montaggio: | SMD/SMT |
Confezione/custodia: | SOIC-8 |
Numero di conducenti: | 2 Autista |
Numero di uscite: | 2 Uscita |
Corrente di uscita: | 5 A |
Tensione di alimentazione - Max: | 24 Volt |
Tempo di salita: | 250 ns |
Tempo di autunno: | 250 ns |
Temperatura minima di esercizio: | - 40 °C |
Temperatura massima di esercizio: | + 150 °C |
Serie: | VNS3NV04DP-E |
Qualificazione: | AEC-Q100 |
Confezione: | Bobina |
Confezione: | Tagliare il nastro |
Confezione: | MouseReel |
Marca: | STMicroelectronics |
Sensibile all'umidità: | SÌ |
Corrente di alimentazione operativa: | 100 µA |
Tipo di prodotto: | Autisti di gate |
Quantità confezione di fabbrica: | 2500 |
Sottocategoria: | PMIC - Circuiti integrati di gestione dell'alimentazione |
Tecnologia: | Si |
Peso unitario: | 0,005291 once |
♠ MOSFET di potenza OMNIFET II completamente autoprotetto
Il dispositivo VNS3NV04DP-E è costituito da due chip monolitici (OMNIFET II) alloggiati in un package SO-8 standard. L'OMNIFET II è progettato utilizzando la tecnologia STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 ed è destinato alla sostituzione dei MOSFET di potenza standard in applicazioni DC fino a 50 kHz.
Lo spegnimento termico integrato, la limitazione lineare della corrente e il morsetto di sovratensione proteggono il chip in ambienti difficili.
Il feedback di errore può essere rilevato monitorando la tensione sul pin di ingresso
■ ECOPACK®: senza piombo e conforme alla direttiva RoHS
■ Grado automobilistico: conformità alle linee guida AEC
■ Limitazione lineare della corrente
■ Arresto termico
■ Protezione da cortocircuito
■ Morsetto integrato
■ Bassa corrente assorbita dal pin di ingresso
■ Feedback diagnostico tramite pin di input
■ Protezione ESD
■ Accesso diretto al gate del MOSFET di potenza (pilotaggio analogico)
■ Compatibile con MOSFET di potenza standard