VNS3NV04DPTR-E Gate driver OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Descrizione del prodotto
| Attributo del prodotto | Valore dell'attributo |
| Produttore: | STMicroelectronics |
| Categoria di prodotto: | Driver di cancello |
| RoHS: | Dettagli |
| Prodotto: | Driver di porta MOSFET |
| Tipo: | Lato basso |
| Stile di montaggio: | SMD/SMT |
| Confezione/caso: | SOIC-8 |
| Numero di conducenti: | 2 Autista |
| Numero di uscite: | 2 Uscita |
| Corrente di uscita: | 5 A |
| Tensione di alimentazione - Max: | 24 V |
| Ora di alzarsi: | 250 n |
| Tempo di caduta: | 250 n |
| Temperatura operativa minima: | - 40 C |
| Temperatura operativa massima: | + 150 C |
| Serie: | VNS3NV04DP-E |
| Qualificazione: | AEC-Q100 |
| Confezione: | Bobina |
| Confezione: | Tagliare il nastro |
| Confezione: | Bobina di topo |
| Marca: | STMicroelectronics |
| Sensibile all'umidità: | SÌ |
| Corrente di alimentazione operativa: | 100 uA |
| Tipologia di prodotto: | Driver di cancello |
| Quantità confezione di fabbrica: | 2500 |
| Sottocategoria: | PMIC - Circuiti integrati per la gestione dell'alimentazione |
| Tecnologia: | Si |
| Unità di peso: | 0,005291 once |
♠ MOSFET di potenza completamente autoprotetto OMNIFET II
Il dispositivo VNS3NV04DP-E è costituito da due chip monolitici (OMNIFET II) alloggiati in un package SO-8 standard.OMNIFET II è progettato utilizzando la tecnologia VIPower™ M0-3 di STMicroelectronics™ ed è destinato alla sostituzione dei MOSFET di potenza standard in applicazioni CC fino a 50 kHz.
Arresto termico integrato, limitazione di corrente lineare e blocco di sovratensione proteggono il chip in ambienti difficili.
Il feedback di errore può essere rilevato monitorando la tensione sul pin di ingresso
■ ECOPACK®: senza piombo e conforme a RoHS
■ Grado automobilistico: conformità alle linee guida AEC
■ Limitazione di corrente lineare
■ Arresto termico
■ Protezione da cortocircuito
■ Morsetto integrato
■ Bassa corrente assorbita dal pin di ingresso
■ Feedback diagnostico tramite pin di ingresso
■ Protezione ESD
■ Accesso diretto al gate del MOSFET di potenza (pilotaggio analogico)
■ Compatibile con MOSFET di potenza standard
